IR2233PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-28 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IR2136JPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。IX2127N
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare。TC4423MJA
Microchip Technology · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CERDIP-8 封装。ISL6700IBZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 9～15 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27324PE4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IR21363JTRPBF
Infineon / IR · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。RE46C119S16F
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 12 V、技术 Si、类型 High Side、工作电源电流 6.5 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。IRS23364DJTRPBF
Infineon / IR · 封装：PLCC-44
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-44 封装。MIC4425YWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。IRS2168DSTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 15.6 V、工作电源电压 12.5～15.6 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。MAX5063BASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-8 封装。UC3710NG4
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IR21064PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。IR2308STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS21271PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4431EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IXDD604SITR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。ISL2110ABZ-T
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 SOIC-8 封装。6ED003L02-F2
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 6ED003L02F2XUMA1 SP000919390。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。