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电源管理与驱动

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型号列表

134,686 条型号记录
每页 20 条

MAX17602ATA+T

Maxim Integrated

主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17602。

MAX8552EUB+

Maxim Integrated · 封装:UMAX-10

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 6.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting,采用 UMAX-10 封装。

MAX5063CASA+T

Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。

MAX4821EUP+T

Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出电压 0.4 V、输出电流 70 mA、技术 Si。

MAX17602AUA+T

Maxim Integrated

主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17602。

MAX15013BASA+T

Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。

MAX17603AUA+T

Maxim Integrated

主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17603。

MAX17600ASA+T

Maxim Integrated

主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX17600。

MAX15019AASA+T

Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 50 ns。

TLE9180D31QKXUMA1

Infineon Technologies · 封装:LQFP-64

主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 60 V、输出电流 2.2 A、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、配置 3 Phase,采用 LQFP-64 封装。

IR21363SPBF

Infineon Technologies · 封装:SOIC-28

主要参数包括电源电压(最小值) 12 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-28 封装。

IR2135STRPBF

Infineon Technologies · 封装:SOIC-28

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-28 封装。

IR2235JPbF

Infineon / IR · 封装:PLCC-44

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si,采用 PLCC-44 封装。

IRS21094PBF

Infineon / IR · 封装:PDIP-14

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 PDIP-14 封装。

IRS2118PBF

Infineon Technologies · 封装:PDIP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS,采用 PDIP-8 封装。

IRS21091STRPBF

Infineon / IR · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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