MIC4606-1YML-EV
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-16 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录SI8275DBD-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275GB-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8273ABD-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275BBD-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。MCP14A1201-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。SI8231AB-D-IS1
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MAX628CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 PDIP-8 封装。MAX627CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 PDIP-8 封装。MAX627CSA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。L9337MD/TR
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 32 V、工作电源电压 - 24 V to + 45 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 SO-20 封装。MAX5055BASA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。MAX4426CSA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。NCV5701CDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。MAX4427CSA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。NCP81075MTTXG
ON Semiconductor · 封装：WDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 WDFN-10 封装。MAX8552EUB+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting。MAX626CSA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。MAX8535AEUA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 14 V、输出电压 12 V、输出电流 20 A、技术 Si。MAX17601ASA+T
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。