ADUM3123CRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCP81253MNTBG
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers。DGD0215WT-7
Diodes Incorporated · 封装：TSOT-25-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 1.9 A、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 TSOT-25-5 封装。SI8274AB4D-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8232AB-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。ZXGD3110N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SO-8 封装。SI82396BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI82395AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。LTC4440AHMS8E-5#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 4～15 V、输出电流 1.1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MSOP-8 封装。SI82390AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。ZXGD3109N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SO-8 封装。SI8275DAD-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。LTC1710CMS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。LTC4441IS8-1#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。SI8233AD-D-IS3
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。Si823H2CB-IS1
Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。SI8274GB4D-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275GBD-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275DA-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。MIC4606-2YML-EV
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。