MAX4428ESA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IXBK64N250
IXYS
主要参数包括技术 Si、商品名称 BIMOSFET、单件重量 0.225753 oz。LM5109BMA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NUD3124LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
主要参数包括技术 Si、类型 Inverting、产品 Relay Drivers、输出数 1 Output、配置 Single、上升时间 725 ns，采用 SOT-23-3 封装。MCP14A0305T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。BM60213FV-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B-20W
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SSOP-B-20W 封装。BM61S41RFV-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B10W
主要参数包括电源电压（最小值） 4.4 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SSOP-B10W 封装。BM61M41RFV-CE2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-B10W
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 4 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SSOP-B10W 封装。NCV51705MNTWG
ON Semiconductor · 封装：QFN-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、工作电源电压 10～22 V、输出电流 6 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Low Side，采用 QFN-24 封装。TBD62503AFNG,EL
Toshiba · 封装：$1.32
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.002469 oz，采用 $1.32 封装。ISL2101AAR3Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-9
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 DFN-EP-9 封装。ISL83202IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括最大时钟频率 200 kHz、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 SOIC-Narrow-16 封装。UCC21541DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 9.2～18 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 SOIC-16 封装。SI82394CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 12.8～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8231BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。UCC21540DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 18 V、输出电流 73 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 氮化镓（GaN），采用 SOIC-16 封装。UCC23513DWYR
Texas Instruments · 封装：SOIC-6
主要参数包括输出电压 14～33 V、输出电流 2 mA、技术 碳化硅（SiC）、逻辑类型 CMOS、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-6 封装。SI8752AB-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.000035 oz，采用 SOIC-8 封装。ADUM4137WBRNZ
Analog Devices · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5 V、输出电流 6 A、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-28 封装。MAX620CWN+
Maxim Integrated · 封装：SO-Wide-18
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 SO-Wide-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。