VN7004CHTR
STMicroelectronics · 封装：Octapak-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 175 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 Octapak-7 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IFX007TAUMA1
Infineon Technologies · 封装：TO-263-7
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 40 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 TO-263-7 封装。EL7457CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。IXDN614YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 Clare，采用 TO-263-5 封装。1EDI30J12CPXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-19
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 17.5 V、输出电压 - 18.25 V、输出电流 2 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-19 封装。SI8286CC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。LV8968BBUWR2G
ON Semiconductor · 封装：SPQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 3.3 V, 5 V、输出电流 400 mA、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SPQFP-48 封装。IR21814PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。L9375TRLF
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 5.2 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 PowerSO-36 封装。SIC645ER-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP55-32L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 60 A、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MLP55-32L 封装。2EDL05I06BF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL05I06BFXUMA1 SP001070344。2EDL05I06BFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDL05I06BF SP001070344、单件重量 0.057144 oz，采用 SOIC-8 封装。ZXGD3114N7TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 11.2 V、输出电流 3.3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-7 封装。2ED020I06FIXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-18
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2ED020I06-FI 2ED2I6FIXT SP000776988、单件重量 0.007408 oz，采用 SOIC-18 封装。NCV57000DWR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 6 A、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-16 封装。1EDU20I12SVXUMA1
Infineon Technologies · 封装：PG-DSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4.85 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 20.3 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 PG-DSO-36 封装。L6494LDTR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。SI8231BB-D-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 6 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-16 封装。NCD57000DWR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 24 V、输出电流 6 A、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。TC4422AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 DFN-S-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。