HT0440LG-G
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.5 V、输出电压 10 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IR2106STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IXRFD631-NRF
IXYS · 封装：SMD-6
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SMD-6 封装。ZXGD3111N7TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-7
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、单件重量 0.007760 oz，采用 SO-7 封装。FAN3121CMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。2EDS8265HXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 4.5～20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DSO-16 封装。VN808CM-32-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、电源电压（最大值） 45 V、工作电源电压 24 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-36 封装。NCP51820AMNTWG
ON Semiconductor · 封装：QFN-15
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 17 V、技术 氮化镓（GaN）、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 QFN-15 封装。FDMF3037
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 35 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。TC4451VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。AUIRS2336STR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。ISL55111IRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.95 mm，采用 QFN EP 封装。ISO5851QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。NCP81074AMNTBG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000334 oz。ISO1H801G
Infineon Technologies
主要参数包括输出电流 625 mA、技术 Si、输出数 8 Output、工作电源电流 4.5 mA、耗散功率（Pd） 3.3 W、最小工作温度 - 25 C。IXRFD630
IXYS · 封装：SMD-6
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SMD-6 封装。VN7004CLHTR
STMicroelectronics · 封装：Octapak-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 175 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 Octapak-7 封装。VN7003ALHTR
STMicroelectronics · 封装：Octapak-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 135 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 Octapak-7 封装。IRSM005-301MH
Infineon / IR · 封装：PQFN-27
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、商品名称 CIPOS、型号别名 SP001541136、单件重量 0.076710 oz，采用 PQFN-27 封装。VN7007AHTR
STMicroelectronics · 封装：Octapak-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 4～28 V、输出电流 140 A、技术 Si、类型 High Side，采用 Octapak-7 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。