TC4467EOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8281CC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。DRF1203
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。SI8261BCC-C-IPR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LT1684IS#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-14 封装。SI8283CC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。SI8284BC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。SI8281BC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。IRS26302DJPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PLCC-32 封装。IRS2001MTRPBF
Infineon / IR · 封装：MLP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-16 封装。LM5109MAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。L6571BD
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。MAX15492GTA+
Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括工作电源电压 4.2～5.5 V、输出电流 2.7 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-EP-8 封装。VND5E050KTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver。TD310IDT
STMicroelectronics · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、输出电流 250 mA、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 3 Driver，采用 SO-16 封装。VN7003AHTR
STMicroelectronics · 封装：Octapak-7
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电流 135 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Driver ICs - Various，采用 Octapak-7 封装。TSC426MJA/883B
Maxim Integrated · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 CERDIP-8 封装。MAX4420MJA/883B
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output。MIC4104YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。2ED020I06-FI
Infineon Technologies · 封装：SOIC-18
主要参数包括电源电压（最小值） 14 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-18 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。