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Analog Devices · 封装:LGA-13
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 11.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 LGA-13 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices · 封装:LGA-13
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 11.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 LGA-13 封装。Microchip Technology / Micrel · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.5~18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si,采用 PDIP-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-6
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电压 11.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting,采用 SOIC-6 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 12 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.15~18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 6.5 V、输出电压 7.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.6 mA、耗散功率(Pd) 2.77 W,采用 SOIC-Wide-16 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8 EP
主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers,采用 SOIC-8 EP 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 9.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 9.5~18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-6
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电压 7.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting,采用 SOIC-6 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A,采用 SOIC-8 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 16 V、工作电源电压 9~16 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers,采用 SOIC-8 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7.5 V、电源电压(最大值) 25 V、工作电源电压 7.5~25 V、输出电流 4.25 A、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、工作电源电压 4.15~18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 5 V、输出电压 4.5~18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电压 35 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-16 封装。Analog Devices · 封装:SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.6 mA、耗散功率(Pd) 2.77 W,采用 SOIC-Wide-16 封装。Renesas / Intersil · 封装:DFN-EP-10
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压(最大值) 13.2 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 DFN-EP-10 封装。Monolithic Power Systems (MPS) · 封装:QFN5x5-18
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 21 V、工作电源电压 4.5~21 V、输出电流 20 A、技术 Si、上升时间 5 ns,采用 QFN5x5-18 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。