2EDF7275FXUMA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 4.5～20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DSO-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14A0302T-E/KBA
Microchip Technology · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 WDFN-8 封装。MAX25615AUT/V+
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15.5 V、输出电流 7 A、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。TD351ID
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 100 ns。CSD95379Q3MT
Texas Instruments · 封装：VSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 20 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VSON-10 封装。AUIPS6044GTR
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output、配置 Quad，采用 SOIC-28 封装。SRK2000A
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括工作电源电压 4.5～32 V、输出电流 3.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。L6574
STMicroelectronics · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 10 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。SIC532CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：PowerPak-22
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PowerPak-22 封装。MCP14A0051T-E/MAY
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。DGD2003S8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。LT1161ISW#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-20
主要参数包括技术 Si，采用 SO-20 封装。1EDS20I12SVXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-36
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-36 封装。UCC37322DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。ADP3623ARHZ-RL
Analog Devices
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side。TC4420VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。ISL6622CRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 DFN-EP-10 封装。ISL2110AR4Z
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 DFN-EP-12 封装。MCP1407-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。SI8285CC-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。