LM5109MA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX258ATA+
Maxim Integrated · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various，采用 TDFN-8 封装。IRS2001SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX5056AASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。IRS2001STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IR7184SPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001540224。BTN8980TA
Infineon Technologies · 封装：TO-263-7
主要参数包括技术 Si、高度 4.4 mm、长度 10 mm、宽度 9.25 mm、湿敏性 是、型号别名 BTN8980TAAUMA1 BTN898TAXT SP000785250，采用 TO-263-7 封装。L6385E
STMicroelectronics · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电压 580 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。VNS1NV04P-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括输出电流 1.7 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SO-8 封装。VN5E016AHTR-E
STMicroelectronics · 封装：HPAK-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 73 A、技术 Si、类型 High Side，采用 HPAK-6 封装。L9362013TR
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-38
主要参数包括技术 Si、输出数 4 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是，采用 PowerSO-38 封装。VN610SP-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver，采用 PowerSO-10 封装。VN5160S-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 10 nA、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。VND14NV04-1-E
STMicroelectronics · 封装：TO-251
主要参数包括输出电流 12 A、技术 Si、输出数 1 Output、工作电源电流 100 uA、耗散功率（Pd） 74 W、认证等级 AEC-Q100，采用 TO-251 封装。VNQ860SP-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、技术 Si、类型 High Side、输出数 4 Output、工作电源电流 70 uA、耗散功率（Pd） 90000 mW，采用 PowerSO-10 封装。L6388E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。MAX628MJA/883B
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。2EDF7235KXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TFLGA-13
主要参数包括输出电压 8 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Full-Bridge, Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TFLGA-13 封装。2EDF7275KXUMA1
Infineon Technologies · 封装：TFLGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.5 V、输出电压 4.5～20 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 TFLGA-13 封装。MCP14A0153T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.1 mm、长度 3 mm、宽度 3 mm、单件重量 0.000903 oz，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。