LM5101M/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 1.8 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录AUIPS7145RTRL
Infineon / IR · 封装：DPAK-5
主要参数包括输出电流 2.1 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2.5 W、最小工作温度 - 40 C，采用 DPAK-5 封装。MAX5057BASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。FAN7389MX1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-28 封装。IR2161PBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括最大时钟频率 70 kHz、电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。CSD97374Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 VSON-CLIP-8 封装。FAN7392N
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, LSTTL，采用 PDIP-14 封装。IRS2001PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。CSD97376Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、配置 Single、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 VSON-CLIP-8 封装。AUIPS1052GTR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V, 6 V、电源电压（最大值） 5.5 V, 28 V、输出电压 36 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。VN610SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver，采用 PowerSO-10 封装。AUIPS1041RTRL
Infineon / IR · 封装：DPAK-3
主要参数包括技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、上升时间 7 us、下降时间 10 us，采用 DPAK-3 封装。LM5101ASD
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。VNLD5090-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 18 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SO-8 封装。CSD97396Q4MT
Texas Instruments · 封装：SON-9
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 30 A、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SON-9 封装。VNLD5300-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.003527 oz。VNS1NV04DP-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、配置 Dual、上升时间 170 ns、下降时间 200 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SO-8 封装。VNS3NV04DP-E
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 40 V、电源电压（最大值） 55 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。AUIPS1042GTR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 28 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。IR7304SPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001548270。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。