IR2153PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10 V、输出电压 10～20 V、输出电流 400 mA、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCP1392DDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、工作电源电流 50 uA，采用 SOIC-8 封装。IRS2004SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IR7106SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IR7184STRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001540054。L9339-TR
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 32 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SO-20 封装。IRS2004STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2003SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS2003STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。NCV8408DTRKG
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
主要参数包括技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 20 us、下降时间 20 us，采用 DPAK-3 封装。NCV7703BD2R2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 NCV7703CD2R2G。VN820SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 PowerSO-10 封装。MAX5055BASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。LM5113SDE/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。VN820SP-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-10 封装。IR2153STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 400 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。FAN6208MY
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8.3 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 20 V、输出电流 100 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOP-8 封装。MAX5056BASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。L9339
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 32 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SO-20 封装。UCC27524AQDGNRQ1
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。