IR2153SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10 V、输出电压 10～20 V、输出电流 400 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCV7608DWR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 34 V、输出电压 34～48 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。AUIR3314STRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-5
主要参数包括输出电流 18 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2 W，采用 D2PAK-5 封装。AUIPS2041LTR
Infineon / IR · 封装：SOT-223-4
主要参数包括输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOT-223-4 封装。AUIR3320STRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-5
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、型号别名 SP001513822，采用 D2PAK-5 封装。AUIPS2051LTR
Infineon / IR · 封装：SOT-223-4
主要参数包括输出电流 900 mA、技术 Si、类型 Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2 W，采用 SOT-223-4 封装。LM5113SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。NCV8401ADTRKG
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
主要参数包括技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率（Pd） 2 W，采用 DPAK-3 封装。AUIPS7111STRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-5
主要参数包括输出电流 10 A、技术 Si、类型 High Side、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2.5 W，采用 D2PAK-5 封装。IR21571PBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 10～25 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Photo-Flash Drivers，采用 DIP-16 封装。LM5113TME/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DSBGA-12 封装。MAX8791GTA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 2.7 A、技术 Si、类型 Non-Inverting。AUIR3316STRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-5
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 26 V、工作电源电压 6～26 V、输出电流 7 A、技术 Si、类型 High Side，采用 D2PAK-5 封装。BD16952EFV-ME2
ROHM Semiconductor · 封装：HTSSOP-B24
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 40 V、输出电压 - 4 V to 40 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-B24 封装。AUIPS7125RTRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-5
主要参数包括输出电流 3.8 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2.5 W、最小工作温度 - 40 C，采用 D2PAK-5 封装。FAN7390AMX1
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOP-14 封装。NCV7240DPR2G
ON Semiconductor · 封装：SSOP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 1.3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers，采用 SSOP-24 封装。AUIPS2052GTR
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括输出电流 900 mA、技术 Si、类型 Low Side、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 2 W，采用 SOIC-8 封装。IR2153DPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10 V、输出电压 10～20 V、输出电流 400 mA、技术 Si，采用 DIP-8 封装。1ED020I12-F
Infineon Technologies · 封装：DSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 + 5 V, + 15 V, - 8 V、输出电压 6.5 V、输出电流 2 A、技术 Si，采用 DSO-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。