LT1160IN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括技术 Si，采用 PDIP-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LT1161CN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-20 封装。LT1336IS#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 10.6 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SO-16 封装。LT1158IN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 PDIP-16 封装。LTC1155IN8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PDIP-8 封装。LT1161IN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-20 封装。LT1336IN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-16
主要参数包括技术 Si，采用 PDIP-16 封装。LTC4441MPMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5～8 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-10 封装。LT1162ISW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 60 V、输出电流 1.5 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-24 封装。LTC1478CS#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-16 封装。LT1162CSW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-24 封装。LTC1156CSW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 SO-16 封装。SLG55021-200010V
Silego Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电压 5.5 V、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 TDFN-8 封装。NJW4814MLE-TE1
NJR · 封装：EQFN24-LE-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 40 V、输出电流 20 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 EQFN24-LE-24 封装。IR7106STRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001544684。IR7304STRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001544674。NCP1392BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25～250 kHz、电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。NCP1393BDR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 25～250 kHz、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。AUIR3313STRL
Infineon / IR · 封装：D2PAK-5
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 32 V、工作电源电压 6～32 V、输出电流 23 A、技术 Si、类型 High Side，采用 D2PAK-5 封装。MAX5054BATA+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 85 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。