SI82395BB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC4442EMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 9.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。LTC4442EMS8E-1#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。SI82391CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 12.8～24 V、输出电压 24 V、输出电流 4 A、技术 Si，采用 SOIC-Wide-16 封装。VOD3120AG-V
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。VOD3120AD-V
Vishay Semiconductors · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 35 V、输出电流 2.5 A、技术 GaAs、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。LTC4442IMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 9.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。LTC4440IMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 8～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 MSOP-8 封装。LTC4441IMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5～8 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-10 封装。LTC7003EMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LT1166CS8#PBF
Analog Devices · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SO-8 封装。LTC3900ES8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 11 V、输出电压 3.3 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SO-8 封装。LT1166CN8#PBF
Analog Devices · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 6 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PDIP-8 封装。LTC1155CN8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-8 封装。LTC1255CN8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 10.5 V、输出电流 23 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 PDIP-8 封装。LTC4444MPMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。LTC1165CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电压 9 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 SO-8 封装。LTC1163CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电压 9 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。LCS702LG
Power Integrations
主要参数包括技术 Si、商品名称 HiperLCS。LT1158CN#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 PDIP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。