HIP2100IBZT7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.002540 oz。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录IR25600STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 6～20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MAX4940MB+
Maxim Integrated
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX4940。LTC4444IMS8E-5#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 4.5～13.5 V、输出电流 1.75 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MSOP-8 封装。SI82394AB4-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8230AD-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MCP1405-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。MCP14E11-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。SI8261ACA-C-IS
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 64 ns、工作电源电流 30 mA。SI8261BAA-C-IS
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 66 ns、工作电源电流 30 mA。MCP1406-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 DFN-8 封装。SI82398CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。MCP14E10-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。MCP1403-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。LTC4446IMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。LTC4441EMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5～8 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-10 封装。LTC1693-3CMS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 MSOP-8 封装。LTC1693-2IS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。LTC1693-2CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。LTC1693-5CMS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。