SI82390AB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8234AB-D-IM
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side/Low Side，采用 LGA-14 封装。TC4431VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。MCP1404-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。SI8261BAC-C-IPR
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 68 ns、工作电源电流 30 mA，采用 DIP-8 封装。MCP1404-E/SO
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。SI8261ABC-C-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.4 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 DIP-8 封装。SM74101SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 WSON-6 封装。LTC1157CS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8.8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。LTC4440AIMS8E-5#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、单件重量 0.016014 oz，采用 MSOP-8 封装。MIC4128YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4128YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。LTC4446EMS8E#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 7.2～13.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MSOP-8 封装。SI82396AD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。SI8233BB-D-IM1
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI82395CB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI82391CB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。SI8232AB-D-IS1
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。SI8230AB-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MCP14E6-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MCP1406-E/AT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 TO-220-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。