IRS23364DJPBF
Infineon / IR · 封装：PLCC-44
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 11.5～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PLCC-44 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14E4-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-S-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 DFN-S-8 封装。MCP14E7-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MCP14E9-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MC33797BPEW
NXP / Freescale · 封装：SOICW-32
主要参数包括输出电压 7 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various、上升时间 20 ns，采用 SOICW-32 封装。TC1413EUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。IRS21271SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 9～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC4467EPD
Microchip Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。SI8261ACC-C-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.4 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 DIP-8 封装。MCP14E3-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。DRF1202
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。SI8234AD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82396CB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16
主要参数包括工作电源电压 12.8～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。MCP14E5-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。SI8237BD-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MCP14E11-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SI8231AB-D-IS
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。MCP1404T-E/SO
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。SI8221CC-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Inverting、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SI8261BBA-C-IS
Silicon Labs
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 72 ns、工作电源电流 30 mA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。