2ED2304S06FXLSA1
Infineon Technologies · 封装：DSO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 17.5 V、输出电压 10～17.5 V、输出电流 360 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DSO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4424AVOE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-16 封装。SM74104MA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。VND5E050ACJTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。SI8220DD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。TC1412NCOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IRS4426SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MP1907AGQ-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-EP-10 封装。IRS2308PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。IR21091PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-8 封装。SIC620ARCD-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers。MCP1405-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 20 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MCP14E8-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。DGD2101MS8-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SO-8 封装。TC4425COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。RE46C107E16F
Microchip Technology · 封装：DIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 5 V、技术 Si、工作电源电流 14 uA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C，采用 DIP-16 封装。SI8235AD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。FDMF6820C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。SI82397BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-Wide-16
主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-Wide-16 封装。MC34932SEK
NXP / Freescale · 封装：SOIC-54
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-54 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。