芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

MIC4415YFT-T5

Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-4

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、技术 Si、类型 Low Side，采用 QFN-4 封装。

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SI8237AD-D-IS

Silicon Labs

主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。

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IRS2112STRPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

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IR21364SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-28

主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。

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SI82392BB-IS1

Silicon Labs · 封装：SOIC-Narrow-16

主要参数包括工作电源电压 10～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns，采用 SOIC-Narrow-16 封装。

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SI8261AAD-C-IS

Silicon Labs · 封装：SDIP-6

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SDIP-6 封装。

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MCP14E10-E/SN

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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MCP1403-E/P

Microchip Technology · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 20 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。

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SI8261ACC-C-IS

Silicon Labs · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.4 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SO-8 封装。

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IR25603SPBF

Infineon / IR · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15.6 V、工作电源电压 10～15.6 V、输出电压 10～15.6 V、输出电流 180 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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RE46C117S8F

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 5 V、技术 Si、工作电源电流 14 uA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C，采用 SOIC-8 封装。

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MD1715K6-G

Microchip Technology · 封装：VQFN-40

主要参数包括技术 Si、湿敏性是，采用 VQFN-40 封装。

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TC4432VOA

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。

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FDMF6705V

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。

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TC4424VOE

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

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IR21091SPBF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。

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SI8230AB-D-IS1

Silicon Labs

主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。

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TC4426EUA713

Microchip Technology · 封装：MSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。

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LCS701LG

Power Integrations

主要参数包括技术 Si、商品名称 HiperLCS。

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MC50XS4200BEK

NXP / Freescale

主要参数包括技术 Si、湿敏性是、型号别名 934070502574、单件重量 0.017030 oz。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。