IRS2112SPbF
Infineon / IR · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4431VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。LM5100AMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4223YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MCP14E8-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP1403-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.025 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。IRS25751LTRPBF
Infineon Technologies
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 480 V、输出电压 4.2 V、输出电流 4.6 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various。ZXGD3104N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SO-8 封装。SI8220CB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 Isolated Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TC4423AVOE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-16 封装。TC4425VOE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。IRS2127PBF
Infineon / IR · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MAX17604AUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。RE46C101S8TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 SOIC-8 封装。ZXGD3101N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、单件重量 0.008466 oz，采用 SO-8 封装。IR25602SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4469ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-14
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、单件重量 0.057144 oz，采用 PDIP-14 封装。MCP14A0152T-E/CH
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si。MD1711FG-G
Microchip Technology · 封装：LQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5 V、工作电源电压 3.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 LQFP-48 封装。MAX15013DASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。