TC4423COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM5101CMYE/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4425VOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。MIC4422AZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、单件重量 0.032805 oz，采用 PDIP-8 封装。UCC27532DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。MIC4424YWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4424YWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-16 封装。TC4425EOE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。MIC4425ZWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MIC4424ZWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4424ZWM TR、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。MAX17604ASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。IRS44262SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 11.2 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX4428EPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。NCP5901DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。EL7155CSZ-T7A
Renesas / Intersil
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.002540 oz。MAX15013BASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns，采用 SOIC-8 封装。MAX8535AEUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 14 V、输出电压 12 V、输出电流 20 A、技术 Si，采用 UMAX-8 封装。ISL6614CRZ
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver，采用 QFN EP 封装。IRS23364DSTRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-Wide-28
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-Wide-28 封装。ADUM1234BRWZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 3 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、隔离电压 2.5 kVrms，采用 SOIC-16 封装。TC4469EOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。