芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

IRS2111SPbF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。

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TPS2814PW

Texas Instruments · 封装：TSSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。

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TC4422EMF

Microchip Technology · 封装：DFN-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DFN-8 封装。

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TC1412NEPA

Microchip Technology · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。

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TC4405EPA

Microchip Technology · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。

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TC4423EOE

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。

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IRS2118SPbF

Infineon Technologies · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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IRS2111PBF

Infineon Technologies · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-8 封装。

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IR2136JTRPBF

Infineon Technologies · 封装：PLCC-32

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 6 Driver，采用 PLCC-32 封装。

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ADUM3220WARZ

Analog Devices · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。

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ADUM3223WBRZ

Analog Devices · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。

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MD1712FG-G

Microchip Technology · 封装：LQFP-48

主要参数包括技术 Si、湿敏性是，采用 LQFP-48 封装。

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LCS701HG

Power Integrations · 封装：eSIP-16

主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 11.4～15 V、输出电流 6.2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 eSIP-16 封装。

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LM5100BMA/NOPB

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。

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MD1712K6-G

Microchip Technology · 封装：VQFN-48

主要参数包括技术 Si、湿敏性是，采用 VQFN-48 封装。

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MIC4468ZN

Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。

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MAX628ESA+

Maxim Integrated · 封装：SO-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。

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ADUM3220BRZ

Analog Devices · 封装：SOIC-8

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MAX15018AASA+

Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。

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SI8244CB-D-IS1

Silicon Labs · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.6 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、工作电源电流 2.5 mA，采用 SOIC-16 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。