IRS2117PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录TC4468EPD
Microchip Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。MIC4605-1YM-T5
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 1.9 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。MC34937APEK
NXP / Freescale · 封装：SOIC-54-EP
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 58 V、工作电源电压 8～40 V、输出电压 5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-54-EP 封装。MC33813AE
NXP / Freescale · 封装：LQFP-48
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 4.5～36 V、输出电压 6.5 V、输出电流 - 5 mA、技术 Si，采用 LQFP-48 封装。MAX8811EEE+
Maxim Integrated · 封装：QSOP-16
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX8811、单件重量 0.010159 oz，采用 QSOP-16 封装。ADUM3223WCRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。TPL9201PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-20 封装。MAX15012CASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。TC4425COE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。IRS2108SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8237AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。TC4431EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC4225YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX5062CASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。MAX8585EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 14 V、输出电压 12 V、输出电流 20 A、技术 Si，采用 UMAX-8 封装。IR21364STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 11.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。UC3710TG3
Texas Instruments · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 TO-220-5 封装。MCP1407-E/AT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。IRS2304PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。