MC33880PEGR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935310628518、单件重量 0.026676 oz。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX8555AEUB+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 13.25 V、工作电源电压 13.25 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 3.3 mA，采用 UMAX-10 封装。VOW3120-X017T
Vishay Semiconductors · 封装：SMD-8
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 32 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SMD-8 封装。TC4429VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27527DSDT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。LM5134BSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。LM5111-3MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4424AVMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 DFN-8 封装。TC1410EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC4422AZM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TC1411NEPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC1428COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FAN3229CMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 MLP-8 封装。TC1411CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MCP14A0052T-E/CH
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000600 oz，采用 SOT-23-6 封装。MAX15019AASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。TC4404EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。IRS21064SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 290 mA、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。TC4627EOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。LM5134ASD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 12.6～4 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。