LM5114AMF/S7003109
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC1413NEPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。RE46C104S14F
Microchip Technology · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8 V、技术 Si、工作电源电流 200 uA、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 50 C，采用 SOIC-14 封装。IR25602STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 270 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ISL89164FRTBZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX4429CSA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output，采用 SO-8 封装。MAX253EUA+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。6EDL04I06NTXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-Wide-28
主要参数包括技术 Si、高度 2.65 mm、长度 18.1 mm、宽度 7.6 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-Wide-28 封装。TC4422VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4424AVOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8234AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI8274GB4D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。MIC4103YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 9～16 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MAX17603AUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。TC4427VUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。LM5114BMF/S7003110
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。LTC4449EDCB#TRMPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。MD1821K6-G
Microchip Technology · 封装：VQFN-16
主要参数包括技术 Si，采用 VQFN-16 封装。TC427COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4414YFT-T5
Microchip Technology / Micrel · 封装：QFN-4
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、技术 Si、类型 Low Side，采用 QFN-4 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。