TC4420VMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DFN-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC5011YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PDIP-8 封装。TSC427CBA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。EMB1412MYE/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4627CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 4～6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。IR21365SPbF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 625 V、输出电压 0.3 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。ISL6622CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 3 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 26 ns，采用 DFN-EP-10 封装。LM25101AMR/NOPB
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。LM5101BSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。TC4405CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。TC4404CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。MIC4422AYN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。SI8235AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MIC4421AZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。TC1413COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。HT0440K6-G
Microchip Technology · 封装：DFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.15 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电压 10 V、技术 Si、类型 High Side，采用 DFN-10 封装。MAX17600AUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。UCC27525DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4428AVOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4605-2YM-T5
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 1.9 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。