FDA215S
IXYS Integrated Circuits · 封装：SMD-8
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 5 mA、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)、商品名称 Clare，采用 SMD-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX5079EUD+
Maxim Integrated · 封装：TSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 1 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 13.2 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、工作电源电流 4 mA，采用 TSSOP-14 封装。MAX5063AASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。ADUM3221TRZ-EP
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 11 mA、耗散功率（Pd） 2.5 W，采用 SOIC-8 封装。MAX5062BASA+
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 65 ns。UCD74106RGMT
Texas Instruments · 封装：VQFN-13
主要参数包括电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 2.2～18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 VQFN-13 封装。LM25101BMA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2834D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-14 封装。TC4404EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4425EOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。TPS2817DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。MIC4225YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MCP14E4-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。MCP14E5-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。TPS28226DRBT
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。MAX17602AUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。TC429EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 7～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC429EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 7～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。LM5111-2MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC1412COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。