MC33152VDG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPS2816DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。MIC4421ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si，采用 DIP-8 封装。CSD95375Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 VSON-CLIP-8 封装。FDMF6824C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PQFN-40 封装。CSD97394Q4MT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 VSON-CLIP-8 封装。MAX17605AUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。MAX17605ASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。IXDI602D2TR
IXYS Integrated Circuits · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 DFN-8 封装。MIC4125YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC1412EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4428VOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4426YMM
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。ZXGD3105N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 25 V、工作电源电压 4.5～25 V、输出电压 9.4 V、输出电流 5 A、技术 Si，采用 SO-8 封装。ICL7667EBA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。MIC4423YWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4423YWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4429ZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。CSD95373BQ5M
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET。IRS2183PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。SI8234BD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。