TPS2811PW
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SRK2000ATR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。IX2127G
IXYS Integrated Circuits
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare。UCC27201ADRCT
Texas Instruments · 封装：VSON-9
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-9 封装。NCP303151MNTWG
ON Semiconductor · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-39 封装。TC4432VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。HIP2104FRAANZ-T7A
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、工作电源电压 4.5～14 V、输出电流 75 mA、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si，采用 DFN-EP-12 封装。MIC5011YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 32 V、工作电源电压 4.75～32 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC44F20YMME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC44F20YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。TC1411NCOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX253EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 UMAX-8 封装。SI8230BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。TPS51601ADRBT
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si、配置 Dual，采用 SON-8 封装。MIC4420YMM
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。UCC37325DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。LM5105SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。MIC4127YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。TBD62004APG
Toshiba · 封装：DIP-16
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 7 Driver，采用 DIP-16 封装。TC1411EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FAN3226CMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。