SI8235BB-D-IM
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPS2835PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。TPS2830PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。TC4405COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。IR1167BSTRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 500 kHz、电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 200 V、输出电流 7 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC24630DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.75 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 19.5 V、输出电流 3.33 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。MIC4428YMM
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。TC1411NEUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MSOP-8 封装。DS3680D
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） - 10 V、电源电压（最大值） - 60 V、工作电源电压 - 10 V to - 60 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、产品 Relay Drivers，采用 SOIC-14 封装。LM5114ASD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。TC1412NEOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UC2706N
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-16 封装。TSC427CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。UCC27423DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。VN820PTTR-E
STMicroelectronics · 封装：PPAK
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 PPAK 封装。MIC4224YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。SI8261BCC-C-IP
Silicon Labs · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.25 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 DIP-8 封装。BU2090FS-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 5.5～25 V、输出电流 25 mA、技术 Si。MAX8536EUA+
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5.5 V、输出电流 20 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 UMAX-8 封装。NCP5901MNTBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。