TPS2838PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 10～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC37325P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IR25606SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4426AEPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC4428ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IR25601SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。L6391DTR
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。UCC27523DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。UCC24610D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 6.5 V、工作电源电压 4.5～6.5 V、输出电压 4.5～5.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOIC-8 封装。UCC27525DSDT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。LM5110-2SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。TC1426COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27518AQDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。MIC4126YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。TC427IJA
Microchip Technology · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CERDIP-8 封装。TC4429IJA
Microchip Technology · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CERDIP-8 封装。MAX620EWN+
Maxim Integrated · 封装：SO-18
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 25 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-18 封装。UC2708N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。ADUM3224WARZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.4 mA、耗散功率（Pd） 1.64 W，采用 SOIC-16 封装。LCS702HG
Power Integrations · 封装：eSIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 11.4～15 V、输出电流 8.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 eSIP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。