MAX4426CSA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX4426CPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 DIP-8 封装。MAX4429CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4405EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。SI8232BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。FAN3217TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。VND1NV04TR-E
STMicroelectronics · 封装：DPAK-2
主要参数包括输出电流 1.7 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、配置 Single，采用 DPAK-2 封装。TC1426COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC44F20YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。PM8851D
STMicroelectronics · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、高度 0.9 mm、长度 2.8 mm、宽度 1.5 mm、单件重量 0.000229 oz，采用 SOT-23-6 封装。TC4427VUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。TC4428AEPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。UCC24630DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Compatible with CCM、高度 1.45 mm，采用 SOT-23-6 封装。TC1428CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。IXDD630MCI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 9 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220-5 封装。ADUM4138WBRNZ
Analog Devices · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5 V、输出电流 6 A、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-28 封装。MIC4467YWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MAX4822ETP+
Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 0.4 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers，采用 TQFN-EP-20 封装。UCC27201AD
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4606-1YML-T5
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。