UCC27518DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录NCP81062MNTWG
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.001041 oz。MC33880PEG
NXP / Freescale · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 24.5 V、工作电源电压 5.5～24.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。UCC37323P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IRS2110PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。ADP3634ARDZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。RE46C100S8TF
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.002751 oz，采用 SOIC-8 封装。UCC27201DRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。UCC27538DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。UCC27528DSDT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。SI8231BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。TC428EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FAN3229TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-8 封装。ISL6208IBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。TC4428AEUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。TC4425AVPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。TC4427AVPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC1410EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。LCS700HG
Power Integrations · 封装：eSIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 11.4～15 V、输出电流 4.2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 eSIP-16 封装。MAX628CSA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。