MIC4421YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si，采用 DIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4452VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。TPS51604DSGT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电压 34 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C，采用 WSON-8 封装。TPL9202PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-20 封装。SI8233AB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。UCC27524ADGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。SI8261AAC-C-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.4 V、输出电流 600 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。TC4429EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。BU2099FV-E2
ROHM Semiconductor · 封装：SSOP-20
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 BU2099FV，采用 SSOP-20 封装。UCC27525D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC5021YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 36 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PDIP-8 封装。TC4423VPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。UCC27201ADRMT
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。SRK2000DTR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 32 V、工作电源电压 4.5～32 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SO-8 封装。TC4425CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MAX4420EPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。MIC44F19YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。TC428EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。CSD95378BQ5MT
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-12 封装。UCC27516DRST
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。