UCC27211DPRT
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISL89163FBEBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-EP-8 封装。TC4468COE713
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。IR2125SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12～18 V、输出电压 12～18 V、输出电流 1 A、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MAX4426ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MAX4821ETP+
Maxim Integrated · 封装：QFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出电流 70 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 QFN-EP-20 封装。LCS705HG
Power Integrations · 封装：eSIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 11.4～15 V、输出电流 15.6 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 eSIP-16 封装。UC3708NE
Texas Instruments · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 3 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-16 封装。NCP339BFCT2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。CSD95372BQ5MT
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-12 封装。MAX4427EPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。ADUM3223BRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。LTC4440ES6#TRMPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-6
主要参数包括电源电压（最小值） 36 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 8～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SOT-6 封装。ISL2111ARTZ
Renesas / Intersil · 封装：TDFN-EP-10
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 9 ns，采用 TDFN-EP-10 封装。UC3710DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.7～18 V、输出电流 6 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MAX620CPN+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 25 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-18 封装。HV9901NG-G
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 450 V、工作电源电压 10～450 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。UC3715D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 2 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4432CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。UCC27324QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。