MAX17600ASA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LM5106MMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.6～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-10 封装。TC4420EOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。IR44252LTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、型号别名 SP001538654。HIP4086APZ
Renesas / Intersil · 封装：PDIP-24
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 7～15 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-24 封装。MAX15012AASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。UCC27201ADRCR
Texas Instruments · 封装：VSON-9
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-9 封装。IR21084SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-14 封装。TPS2832D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2819DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。CSD97395Q4MT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 VSON-CLIP-8 封装。IR2108SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。TPS2828DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。TC429CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 7～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TPL9202PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 16.5 V、输出电流 150 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 HTSSOP-20 封装。TPS2812PWR
Texas Instruments · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。IRS2005SPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001545516。IXDI602SIA
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 SOIC-8 封装。EL7212CSZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4.5～15 V、输出电流 2 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX15019BASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SO-EP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。