TC426IJA
Microchip Technology · 封装：CERDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CERDIP-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录MIC4429YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。TC4428ACPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4427VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC1428COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27321QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPIC46L02DB
Texas Instruments · 封装：SSOP-28
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、输出电流 2.5 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SSOP-28 封装。UCD7138DRST
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WSON-6 封装。MAX4896ATP+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting。TC1413NCPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。IRS4427SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UC3705D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 5～40 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UC3707DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 20 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MIC4426ZM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS2813D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8234BB-D-IS1R
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。SI8233AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。TC4424EOE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。UCC37325D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4420ZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。