TC4426AVOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC428CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。MIC4427ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。TC4428EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4429MJA
Microchip Technology · 封装：CDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 CDIP-8 封装。MAX4427CPA+
Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。MAX4427CSA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。FDA215
IXYS Integrated Circuits · 封装：SIP-8
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 5 mA、耗散功率（Pd） 500 mW (1/2 W)、商品名称 Clare，采用 SIP-8 封装。MAX4420CSA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。SI8235AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。UCD7100PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。LM5102SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。UCC27425D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4426AEUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MIC4425YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IX4423N
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC4420VOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27523D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4467COE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。IR21834STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。