UCC37321DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI8261BAD-C-IS
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SDIP-6 封装。UCC37324P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。UCC27325P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。UC2707DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 20 V、输出电流 1.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MIC4451YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4451YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。ISL6208CBZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27524DSDT
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。SI8234BB-D-IM
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。IR3598MTRPBF
Infineon / IR · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 13 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 QFN-16 封装。BD7851FP-E2
ROHM Semiconductor · 封装：HSOP-25
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电压 0.5 V、输出电流 50 mA、技术 Si，采用 HSOP-25 封装。IR2109STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 120 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4422ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si，采用 DIP-8 封装。TPIC44H01DA
Texas Instruments · 封装：TSSOP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 3.2 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 TSSOP-32 封装。MAX253EPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。ISL55111IVZ
Renesas / Intersil · 封装：TSSOP N
主要参数包括技术 Si、上升时间 6.2 ns、下降时间 6.9 ns、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、高度 0.9 mm，采用 TSSOP N 封装。MIC4422ZM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IR2103PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4425AVOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4420ZN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。