TC4426ACPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP1406-E/P
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 20 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。ZXGD3103N8TC
Diodes Incorporated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最大值） 15 V、输出电压 9.5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SO-8 封装。UCC27516DRSR
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。SI8261ABD-C-IS
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SDIP-6 封装。IXDI609PI
IXYS Integrated Circuits · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 DIP-8 封装。LM5114BSD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 4～12.6 V、输出电流 7.6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。LM5109AMA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UC2708DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。RE46C100S8F
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 16 V、技术 Si、工作电源电流 100 nA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。UC3709DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-16 封装。UC2709N
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si、类型 Inverting、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。UCC27321P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。ICL7667EPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 17 V、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 PDIP-8 封装。LM25101AMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MIC4421ZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。TC1411NCPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。UCC27519DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。UCC27518DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。VNL5160S5TR-E
STMicroelectronics
主要参数包括输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various、输出数 1 Output、工作电源电流 25 uA。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。