MAX4420CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPS2815P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。TC4424COE
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。UCC37323D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IRS2103STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCD7201PWP
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。FAN3226TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-8 封装。MIC4128YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。ISO5500DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3～5.5 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。MAX626CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。LM5101BMA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4421EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。LM27222M/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.85 V、工作电源电压 4～6.85 V、输出电流 4.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4451VAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 TO-220-5 封装。MIC4101YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 9～16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。TC4421AVPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 PDIP-8 封装。TC4429COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。NCP81071ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 20.3 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC1412NCOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。L6569AD
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、工作电源电流 25 mA，采用 SO-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。