ISL2110ABZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 8～14 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX4428ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。UCC27200D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27200DDA
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SO-PowerPad-8 封装。BU2092F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 2～1 V、输出电流 25 mA、技术 Si。LM5110-1MX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC428COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC427EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。ADUM4223ARWZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 1.4 mA，采用 SOIC-16 封装。IR44273LTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、型号别名 SP001539748。ADP3120AJRZ-RL
ON Semiconductor · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 700 uA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SO-8 封装。SN75372D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V, 24 V、工作电源电压 - 0.5 V to + 7 V、输出电压 24 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 0 C to + 70 C，采用 SOIC-8 封装。MIC4422ZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220 封装。SI8261BBD-C-IS
Silicon Labs · 封装：SDIP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 SDIP-6 封装。MIC4605-2YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.003527 oz，采用 SOIC-8 封装。ISL2101AABZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 SOIC-8 封装。IR2118PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 15 V、输出电流 500 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。ADP3624ARDZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27536DBVT
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 10～35 V、输出电流 2.5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。ISO5851DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、输出电流 3.6 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。