SI8273BB-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ADUM3223CRZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。MIC4468ZWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR2112SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。LM5101AMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。E-L6452
STMicroelectronics · 封装：$7.57
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、湿敏性 是，采用 $7.57 封装。ISL55110IVZ-T7A
Renesas / Intersil · 封装：TSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 5～13.2 V、输出电压 2.74～5.5 V、输出电流 300 mA、技术 Si，采用 TSSOP-8 封装。UCC27423P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。LM5112Q1SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。MAX15024AATB+T
Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 24 ns，采用 TDFN-10 封装。TC4423AVOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TPS2814DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4426EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。DRDC3105E6-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-26-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、工作电源电压 3～6 V、输出电流 430 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOT-26-6 封装。UCC27323DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4424AVPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。1EDI20I12AFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-8 封装。IXDF602SIA
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。ADP3120AJCPZ-RL
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver。ADUM3220ARZ
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。