MIC4469YWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4424AVOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TC1426CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。IXDI609SIA
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4420ZM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。LM5101AM/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UC2715D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7～20 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SZNUD3124LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
主要参数包括技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver、上升时间 708 ns、耗散功率（Pd） 225 mW，采用 SOT-23-3 封装。LM5100AM/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。SI8235BB-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。TPS2811P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IR2111SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR2118SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS2814D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4429EOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。FAN7361MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。FAN3225CMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。ADUM3223ARZ
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。IR3556MTRPBF
Infineon / IR
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 SP001526264。ADUM7223ACCZ
Analog Devices · 封装：LGA-13
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Isolated Gate Drivers，采用 LGA-13 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。