TC4422EPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27424DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4426MJA
Microchip Technology · 封装：CDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 CDIP-8 封装。TC1427COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC37322DGN
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4432COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～30 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4421CPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。UCC37321D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IX4425N
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4421YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MAX15070AAUT+T
Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、型号别名 MAX15070A、单件重量 0.001270 oz，采用 SOT-23-6 封装。VN5025AJ-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 PowerSSO-12 封装。MIC4102YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 9～16 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。TPS28225D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。NCP81161MNTBG
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 DFN-8 封装。TSC426CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 PDIP-8 封装。TPS2814P
Texas Instruments · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。ADP3110AKRZ-RL
ON Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 55 ns。MIC4604YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 12 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TPIC2603DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 350 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。