MC33151DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ISO5451DW
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。EL7242CSZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。MAX253CPA+
Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 PDIP-8 封装。TC4426COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4428COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC4426ACOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC426COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。SI8230BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。IX4424N
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。SZNUD3160LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 SOT-23-3 封装。MIC5015YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.75 V、电源电压（最大值） 30 V、工作电源电压 2.75～30 V、输出电压 15 V、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。TPS2819DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。SI8261BCC-C-IS
Silicon Labs · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电压 0.25 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SO-8 封装。FAN3227CMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。SM72295MA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 8～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。EL7104CNZ
Renesas / Intersil · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 DIP-8 封装。MAX4420ESA+
Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4468YWM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。IXDI614CI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-220-5
主要参数包括技术 Si、商品名称 Clare，采用 TO-220-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。