UCC27512MDRSTEP
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 8 A、工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4426YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC27201D
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IRS2153DPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压（最小值） 10.1 V、电源电压（最大值） 16.8 V、输出电流 180 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DIP-8 封装。TC4428AEOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MIC4426YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。TC4427AEPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。TC4422CAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 TO-220-5 封装。TC4422AVAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 TO-220-5 封装。LM5110-1M/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TBD62003AFWG,EL
Toshiba
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.011288 oz。TC4427AEUA
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。MIC4424YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 DIP-8 封装。MC33152DG
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。IX4428N
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 4.5～35 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。SZNUD3160DMT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
主要参数包括电源电压（最大值） 60 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SC-74-6 封装。NCP339AFCT2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si。MC33152PG
ON Semiconductor · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。VNL5160N3TR-E
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-3
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 Driver ICs - Various，采用 SOT-223-3 封装。MIC4605-1YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 1.9 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。