MC34151PG
ON Semiconductor · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4120YME
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 4.5～20 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。ZXGD3004E6TA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。PM8834
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 10 V、输出电流 500 mA、技术 Si，采用 SO-8 封装。TC4426AEOA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。TC427COA
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。ULN2003V12T16-13
Diodes Incorporated · 封装：TSSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 16 V、输出电流 100 mA、技术 Si、产品 Relay Drivers，采用 TSSOP-16 封装。DRDC3105F-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5 V、工作电源电压 3～6 V、输出电流 430 mA、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOT-23-3 封装。PMD3001D,115
Nexperia · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TSOP-6 封装。VN808CM-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-36
主要参数包括电源电压（最小值） 10.5 V、技术 Si、类型 High Side、输出数 8 Output、工作电源电流 12 mA、耗散功率（Pd） 96000 mW，采用 PowerSO-36 封装。ZXGD3009DYTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V、输出电压 7 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-363-6 封装。2ED020I12-FI
Infineon Technologies · 封装：DSO-18
主要参数包括电源电压（最小值） 14 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 14～18 V、输出电压 1.7 V、输出电流 1 A、技术 Si，采用 DSO-18 封装。MIC4427YN
Microchip Technology / Micrel · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IR2101SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。FDMF3035
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。MIC4420YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。2EDL05N06PF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-8 封装。MIC5021YM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 12～36 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。IR2127SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 25 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR4427PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。